1200度MOCVD设备
该设备主要是采用金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)生长二维材料MoS2,其优点是气密性好,流量和温度控制精准,自动化程度高,软件操作简单等
技术参数
型号 | TL1200-Ⅱ-Mo | ||
MOCVD原理 |
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及薄层二维材料。 |
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MOCVD简图 |
该系统包含一组加料系统、一组供气系统,,一套控压系统、一台双温区管式炉。 |
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加料系统 |
加料系统由一个密封性很好的不锈钢罐子、加料口、管道、流量计、阀门组成 金属有机源材料通过加料口被加进加料罐中,在加料罐中被加热蒸发成气体,然后向加料罐中通入惰性气体,惰性气体带着气相的金属源从管道进入加热炉内。 |
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供 气 系 统 |
供气系统由质量流量计,管道,阀门组成 |
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管道 | 均采用不锈钢管,接头处都使用VCR接头焊接,保证气密性 | ||
阀门 | 都是日本富士金气动隔膜阀,响应时间极快,流量大,耐腐蚀,密封性好 | ||
质量流量计 | 量程和气体 | 5、10、20、30、50、100、200、300、500SCCM、1、2、3、5、10SLM (你可以任意选择以上量程和所通气体的类型) | |
耐 压 | 3MP | ||
流量控制精度 | ±1.0%F.S | ||
最大工作(使用)压力 | 0.3MPa | ||
线 性 | ±0.5%F.S. | ||
重复精度 | ±0.2% F.S | ||
控压系统 |
稳压系统由真空泵、英国欧陆控制器、宇电控制器、压力变送器、电容规等组成。 在进气量小于2000SCCM,此稳压系统可将腔体内压力控制在0~20000Pa范围内的某一数值。压力波动±1Pa 宇电控制器和压力变送器用于控制真空泵的启动和粗略真空控制,压力变送器量程-100KPa~100KPa 欧陆仪表和电容规用于精确控制真空,压力测量范围0~20000Pa |
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管
式
炉 |
型 号 | TL1200-1200 | |
功率 | 17KW | ||
电源电压 | 三相380V 50Hz 空开4P C50A 电缆线5芯6平方 | ||
炉管尺寸 | 高纯石英管 100×60+250×1000mm(变径石英管) | ||
外形尺寸 | 1700×600×850mm | ||
温度范围 | 0-1200℃ | ||
额定温度 | 1150℃ | ||
加热原件 | 电阻丝 | ||
控温方式 |
采用欧陆程序控温仪表(标配) 1、8*5段程序控温,智能PID调节。 2、具有过温保护 断偶保护,过温或断偶时电炉加热电路自动切断,(当电炉温度超过1200度或热电偶烧断时,主电路上的交流继电器会自动断开,主电路断开,面板上ON灯熄灭,OFF灯亮,有限的保护电炉)。 3、带有485 通讯接口 4、具有断电保护功能,即断电后再给电启动炉子时、程序不是从起始温度开始升、而是从再次给电时炉温开始升。 5、仪表具有温度自整定的功能 |
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炉膛材料 | 1、真空吸滤成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛。
2、采用日本技术成型,不掉渣,保温好。 3、炉膛里电阻丝的间距和节距全部按日本成熟的热工技术布置、经过热工软件模拟温场 |
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阀门和法兰 |
左侧是一个KF60的水冷法兰,卡套式接口,方便拆卸,带有4个进气口,进气口接头均采用VCR接头,密封很好。
右侧是一个KF250的水冷法兰,铰链式结构,采用螺栓固定法兰盖,方便拆卸,不用拧螺丝,该法兰上带有多个KF25接口,方便接其它设备。 |
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控温精度 | ±1℃ | ||
触发器 | 移相触发 | ||
电器 | 浙江正泰 | ||
可控硅 | 106/16E 德国西门康 | ||
升温速率 | ≤30 ℃/ Min (可根据要求修改) | ||
推荐升温速率 | ≤15 ℃/ Min | ||
热电偶 | K型(2支) | ||
加热段 | 260+600mm | ||
真空泵 |
飞越VRD30 功率:1.1KW 电源电压:三相380V 电机转速:1440rpm 极限压强:4×10-1Pa |
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开盖保护系统 |
当炉盖打开时继电器会自动切断主电源,有效地保证使用者的安全 |
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管式炉安装操作说明(点击进入) | |||
保修期 |
一年保修,终身技术支持 特别提示:1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩埚等不在保修期内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 |